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旋干機
適用對象：2"-8" Wafer 晶舟或晶籃；
主要用途：適用于藍寶石晶片、硅晶片、砷化鎵晶片、鍺晶片、碳化硅晶片、磷化銦晶片、掩模板、石英晶片等其它類似基料的高潔凈度薄型晶片、破片吹干；
主要用途：適用于藍寶石晶片、硅晶片、砷化鎵晶片、鍺晶片、碳化硅晶片、磷化銦晶片、掩模板、石英晶片等其它類似基料的高潔凈度薄型晶片、破片吹干；
控制模式：手動控制模式、自動控制模式；
設(shè)備特點：機臺封面采用聚丙烯磁白PP板材(厚度≧10mm) ；機臺視窗采用透明、抗靜電之聚氯乙烯PVC(厚度≧5mm) 腔體結(jié)構(gòu)采用表面凈化處理技術(shù)； 氮氣溫度控制； 體積小，不占空間，可與濕法蝕刻清洗設(shè)備結(jié)合使用； 電器控制、機械結(jié)構(gòu)模組化； 晶片吹干時間≤10min（預估）
設(shè)備特點：機臺封面采用聚丙烯磁白PP板材(厚度≧10mm) ；機臺視窗采用透明、抗靜電之聚氯乙烯PVC(厚度≧5mm) 腔體結(jié)構(gòu)采用表面凈化處理技術(shù)； 氮氣溫度控制； 體積小，不占空間，可與濕法蝕刻清洗設(shè)備結(jié)合使用； 電器控制、機械結(jié)構(gòu)模組化； 晶片吹干時間≤10min（預估）