拋光后CMP清洗臺

1、制程應(yīng)用：拋光后制程（單面、雙面）；

2、清洗制程；

3、控制模式：手動控制模式、自動控制模式；

4、適用對象：藍(lán)寶石襯底晶片

4.1襯底晶片規(guī)格：2 inch，25 Pcs/cassette；

                 8cassette/ Batch Or 4 inch，25Pcs/cassette；

                 4 cassette/ Batch or 6 inch，25 Pcs/cassette；

                 2cassette/ Batch ；

5、工作原理：是利用酸的化學(xué)去污作用和兆聲清洗微小顆粒使工件表面的雜質(zhì)的清除，從而獲得表面潔凈的工件；